当全球目光聚焦于AI算力、HBM内存与先进封装技术时,模拟半导体领域正悄然经历一场更为深刻的变革。德州仪器(TI)、Analog Devices(ADI)、Qorvo、英飞凌等传统模拟巨头,近期罕见地同步调整其制造与封测布局,展现出晶圆回流与封测外迁的双重趋势,从而推动产业向轻封测化与制造聚焦的再平衡迈进。
ADI的Fab-Lite模式深化
近期,ADI与日月光投控(ASE)签署谅解备忘录(MOU),计划由ASE收购ADI位于马来西亚槟城的全资封测子公司——Analog Devices Sdn. Bhd. 100%股权,以及槟城的制造工厂。该工厂建于1994年,坐落于峇六拜(Bayan Lepas)核心工业区,建筑面积超过68万平方英尺。双方预计在今年第四季度完成最终协议签署,交易计划在2026年上半年结束,届时ASE将继续承担ADI模拟芯片的后段生产任务。
此外,ADI与ASE计划签订长期供应协议,ASE将为ADI提供稳定的制造服务。双方还将共同投资,提升槟城工厂的技术水平。通过长期协议锁定外包产能,ADI既维持了技术主导权,又优化了资金使用效率。
实际上,这笔交易是ADI向Fab-Lite模式转型的又一关键步骤。自2020年以来,ADI逐步削减自有制造负担:关闭菲律宾与爱尔兰的老旧封测产线,将部分晶圆生产外包给台积电和GlobalFoundries,并在收购Maxim后整合其工厂体系。
Fab-Lite模式并非“去制造化”,而是一种战略性取舍:保留核心工艺与关键制程能力,将高资本投入、低附加值的环节交付给专业代工厂。
根据ADI数据,公司内部投资仍在扩大:预计到2025年底,美国和欧洲工厂产能将实现翻倍,支持BCD、MEMS与射频产品线的增长。与此同时,资本开支占营收比例从2020年的10%下降至约6%,毛利率稳定在70%左右。这表明ADI成功实现了“资本轻量化”与“利润稳态”的平衡。
ADI计划在2026年前使其美国和欧洲现有工厂的产出翻一番(来源:ADI)
在当前市场周期中,Fab-Lite成为模拟企业的“中性解法”:既不放弃制造掌控,也不被制造环节拖累。
英飞凌的“智能制造混合”战略
去年2月,欧洲汽车芯片巨头英飞凌宣布出售其位于菲律宾Cavite与韩国Cheonan的两座后段封测工厂给日月光集团,双方签署长期供货与制造合作协议(LTSA),ASE将继续为英飞凌提供高可靠性(HiRel)与车规级产品封装服务。交易于2024年8月正式完成,约1200名员工(其中Cavite约900人,Cheonan约300人)随厂转入ASE体系。
作为老牌IDM代表,英飞凌曾长期坚持“前段晶圆自建+后段封测自营”的结构。但进入2020年代后,功率与车规芯片需求激增,前段12英寸Si/SiC投资爆发,而后段封测的资本回报率相对下滑。因此,英飞凌早在2021年就提出了“智能制造混合”战略:“通过自建核心制造能力与外部合作伙伴网络,构建灵活、韧性的全球生产体系。”
通过出售,英飞凌释放了固定资产并减少了每年约3–4亿欧元的资本开支负担,从而集中资源于前段12英寸扩产(如奥地利Villach、马来西亚Kulim)。与ASE签署的LTSA确保了在东南亚拥有稳定封测产能,同时让英飞凌规避运营风险。
尽管英飞凌在后段封测主动让渡,但在前段制造却加码自主化。例如,2025年2月20日,欧盟批准德国支援英飞凌约9.2亿欧元,用于其在德国Dresden建设新型芯片制造厂(MEGAFAB-DD项目),总投资约35亿欧元,该厂将生产涵盖工业、车规与消费类芯片,是英飞凌有史以来最大单笔投资。再如,2025年7月2日,英飞凌公告其“300毫米GaN制造路线”正按计划推进,预计在2025年第四季度提供样片。
Qorvo的聚焦策略
2023年底,Qorvo宣布将其位于中国北京与山东德州的封装与测试工厂出售给立讯精密(Luxshare Precision),交易金额约2.32亿美元,包括整套厂房、设备与员工。Qorvo在声明中明确表示:此举旨在“降低资本强度,支持长期毛利率目标”。交易完成后,立讯继续为Qorvo提供代工封测服务。同时,公司表示将优化中国区产能布局,聚焦射频、PA模块与功率器件的核心制造。
过去几年,Qorvo在手机射频、车规功率和国防通信三条战线同步扩张,资本开支不断攀升。但随着智能手机市场趋稳、射频模块竞争加剧,其封测产线利用率下滑。再叠加地缘不确定性(尤其是中国区资产风险),出售非核心产线成为现实选择。
Qorvo正从“全链整合”转向“资产聚焦”:保留高附加值的RF前端设计与美国本土晶圆制造(如北卡州格林斯伯勒GaAs产线),而将资本密集、利润率较低的后段环节外包。在资本高压、地缘风险与毛利下滑的三重挤压下,Qorvo的“聚焦”实为一次自保性收缩。
“轻封测化”成为模拟大厂的共识。ADI、英飞凌、Qorvo等相继剥离其在中国、马来西亚、菲律宾的封测资产,将非核心的后段工厂外包给ASE、立讯等专业OSAT。这样不仅能规避地缘与劳动力风险,还能释放现金流,支持新制程、AI架构与SiC/GaN项目的研发投入。
造成这一现象的深层原因在于封测正处于技术分水岭。Chiplet、2.5D、Fan-Out、PowerSiP等先进封装技术,让封测从“制造末端”变为“系统前端”,但其设备投资与工程门槛飙升——对模拟与功率厂商而言,自建已不再具备经济合理性。
在这轮“IDM去封测化”浪潮中,日月光投控(ASE Technology Holding)正悄然成为这场结构性变局的最大赢家。它不仅在资产层面接手了ADI、英飞凌的工厂,更在技术层面深入绑定客户的长期供应协议,从“代工服务商”转向“战略制造伙伴”。当模拟与功率器件厂商纷纷减负、释放现金流,日月光反而通过接盘、扩产与技术演进,进入了黄金增长周期——成为整个后段制造产业链的“新中心”。
2025年,日月光在马来西亚槟城(Bayan Lepas)启动其第五座封装与测试工厂(ASE Penang P5),厂区面积扩张至约340万平方英尺,成为当地规模最大的半导体封测基地。新厂主要面向AI芯片、车规功率器件与高性能计算封装,标志着日月光在东南亚正式形成“双引擎”布局——槟城与怡保(Ipoh)两大中心协同运作,覆盖先进封装、测试与系统级模块。
在资本层面,日月光于2025年第一季度投入约8.92亿美元的设备投资,其中约3.95亿美元用于封装业务、4.72亿美元用于测试业务。据路透社报道,公司预测2025年其先进封装与测试收入将比2024年翻逾一倍,达到约16亿美元。与此同时,日月光正评估在美国新建先进封装产能,以响应北美客户“就近生产”与供应链安全需求。
未来十年,IDM与OSAT的边界将趋于模糊:它们将以更紧密的制造协同、长期供货与技术共研形成共生体系。
在制造端,另一场悄然的结构调整也在上演。
150mm线加速退场:在工艺节点向65nm以下集中、设备与材料日趋老化的背景下,150mm(6英寸)晶圆线已经大部分退出主流生产。以德州仪器(TI)为例,公司在2025年关闭了位于德州的150mm晶圆厂,并进行人员调整;更早前,其位于苏格兰Greenock的老旧工厂已出售给Diodes Inc.。这类产线在技术与成本上已难以匹配当前车规、工业客户对效率和良率的要求,退出市场可谓必然。
200mm线逐渐重构:
在10月份的ST第三季度财报会上,ST宣布将进一步加大300mm晶圆投资,并对Agrate与Crolles两座200mm厂区进行布局调整:前者将逐步转向MEMS生产,后者则扩建300mm产线。同时,ST也确认其位于意大利卡塔尼亚的8英寸SiC一体化园区正在建设中,目标是将现有6英寸产能迁移至更具效率的8英寸平台。
六月份,恩智浦(NXP)宣布,计划关闭包括荷兰奈梅亨和美国在内的四座8英寸晶圆厂,以战略性地转向更先进的12英寸晶圆生产,从而提高生产效率并降低成本。此举是其重组计划的一部分,预计整个过渡期将持续数年,届时生产将转移到新加坡和德国等新的12英寸晶圆厂。
年初,英飞凌与SkyWater达成协议,将英飞凌位于德克萨斯州奥斯汀的200毫米晶圆厂出售给后者。SkyWater将以代工厂的形式运营该晶圆厂,从而提升美国130纳米至65纳米节点基础芯片的可用产能,这些芯片对许多工业、汽车和国防应用至关重要。两家公司还签署了一项长期供应协议,这将使英飞凌能够在美国保持强大、高效且可扩展的制造布局。
“关厂潮”只是表象,本质是成熟制造的再平衡。在新旧工艺并行、硅与碳化硅共振的时代,8英寸的故事仍在继续——只是换了角色,从“主角”变成“支点”,支撑起全球半导体供应链的韧性与弹性。
当行业纷纷剥离封测资产、寻求代工合作时,TI反其道而行——持续扩大在美国本土的晶圆和封测投资。
2025年6月18日,TI宣布计划在美国七家半导体工厂投资超过600亿美元,主要用于建设包括位于德克萨斯州和犹他州三个大型制造基地的七座美国半导体工厂,为美国创造超过60,000个新就业岗位,这将是美国历史上对基础半导体制造业的最大投资。
其中,TI位于德克萨斯州谢尔曼的最大大型工厂投资高达400亿美元,用于建设四座晶圆厂:SM1(将于今年投入生产,距其破土动工仅三年)和SM2(已在建),此外,TI还计划新增两座晶圆厂SM3和SM4,以满足未来需求。
德州仪器位于德克萨斯州谢尔曼的全新300毫米半导体晶圆厂SM1和SM2(图源:TI官网)
TI位于理查森的第二家晶圆厂RFAB2继续全面投产,并延续了该公司2011年推出全球首家300毫米模拟晶圆厂RFAB1的传统。
TI正在加速其在利海的首座300毫米晶圆厂LFAB1的建设。2021年TI还收购了美光(Micron)位于犹他州Lehi的12英寸晶圆厂。此外,与LFAB1相连的TI在利海的第二座晶圆厂LFAB2的建设也正在顺利进行中。
TI大部分模拟产品使用0.18–0.5μm节点。目前已经几乎全部投入在12英寸晶圆厂上。通过12英寸晶圆替代8英寸,单片成本可降低30–40%。它并不追求“先进制程”,而是用规模换成本,用自控换稳定。
不仅是美国本地,TI还在日本增加了GaN制造工厂。去年10月份,TI位于日本会津的工厂已开始生产,随着会津工厂产能的提升,加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂,TI内部GaN功率半导体产能将提升四倍。TI还表示,到2030年,他们的内部制造比例将达到95%以上。
在车规、工业与能源领域,客户生命周期往往长达10–20年。TI选择了最稳的路线——自控全链,抗周期波动。但代价是资本开支高企:TI在2025年第三季度的财报透露,公司过去12个月资本开支约为48亿美元。它是当下唯一仍坚持“晶圆+封测”双自控的模拟巨头,也是在资本高周期中最“逆势”的孤勇者。
当下,全球半导体供应链正在被重新划分。美国与欧洲的IDM厂加速前段回流(晶圆厂本地化),封测环节则向东南亚与中国台湾系统性迁移。从“自我完备”到“协同共生”,从“拥有工厂”到“掌控确定性”,这就是模拟半导体在AI时代给出的制造哲学答案。
本文由主机测评网于2026-01-14发表在主机测评网_免费VPS_免费云服务器_免费独立服务器,如有疑问,请联系我们。
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