AI驱动存储芯片迎来超级周期，SK海力士与三星争霸

日前，摩根士丹利研报指出，AI技术驱动下，存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望突破3000亿美元大关，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。

存储芯片，开启超级周期

存储芯片的周期性显著强于其他半导体细分领域，近13年呈现3-4年一轮的周期规律，当前正处于第四轮周期。

回顾前三轮周期：2012-2015年由智能机换机潮驱动，后因扩产供过于求而下行；2016-2019年受益于3D NAND产能转移、DDR4迭代及手机游戏需求，DRAM等产品价格涨幅超100%，但后续受PC/服务器需求疲软调整；2020-2023年疫情催生远程办公与数据中心需求，存储先涨后跌超50%。

2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，改写传统周期逻辑。第四轮周期中，存储需求不再依赖个人消费端，企业级AI资本开支成为重要支撑，驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。

在此趋势下，三星、SK海力士等行业龙头开启新一轮争夺战，业绩迎来空前增长。

10月14日，三星公布的初步财报显示，Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比增长158.55%。这一季度营业利润再次回升至10万亿韩元以上，创下自2022年第二季度以来的最高记录。

三季度销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%。三星将于本月晚些时候公布包含净利润和部门明细项目的完整财报。

SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元。三项核心指标均刷新历史纪录。

HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎。财报披露，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品贡献了主要收入增量，推动公司毛利率攀升至57%。

据悉，三星与SK海力士近日已通知客户：2025年第四季度合同或现货价格将调高至约30%的幅度，涉及DRAM与NAND Flash产品。

随着云服务器、AI模型训练及推理需求的叠加，DRAM与NAND的供需格局正在发生改变。多家国际电子与服务器厂商积极与三星、SK海力士磋商“2-3年期”中长期供货协议，以锁定未来资源、避免价格波动风险。

SK海力士，连续三季度蝉联DRAM市场榜首

在过去两个季度中：2025年Q1，SK海力士首次打破三星电子自1992年以来的长期垄断，以36.9%的市占率登顶DRAM全球榜首。这一里程碑式的突破标志着DRAM市场格局正式进入双雄争霸的全新阶段。

Q1三星市占率降至34.4%，SK海力士凭借2.5个百分点的优势实现首次超越。

Q2竞争差距进一步拉大，SK海力士市占率飙升至39.5%，而三星市占率续跌至33.3%，两者差距扩大至6.2个百分点。

随着SK海力士Q3财报的公布，新一季度DRAM王座竞赛也有了答案。

根据Counterpoint Research的《存储市场追踪报告》，2025年Q3，SK海力士的DRAM营收环比增长11%，同比增长54%，以35%的营收份额连续第三个季度稳居全球DRAM市场第一。在HBM和通用DRAM强劲表现的推动下，公司本季度的DRAM营收也创下了历史新高。

三星电子以34%的市场份额位居第二。营收环比增长29%、同比增长24%，与SK海力士之间的差距较去年缩小了5个百分点。

虽然本季度SK海力士在整体存储市场上被三星电子反超，但在HBM和通用DRAM强劲需求的支持下，公司继续领跑DRAM市场。在HBM市场，SK海力士以58%的市场份额继续占据主导地位。HBM在其第三季度DRAM总销售额中占比高达40%。此外，公司也预计将顺利按照客户需求推进HBM4产品的交付。在通用DRAM领域，需求回升与价格上涨也为公司业绩提供了有力支撑。

Counterpoint Research分析师Jeongku Choi表示：“随着AI存储需求保持高位，SK海力士有望在Q4延续之前的强劲表现。公司在HBM4研发中积极响应客户需求，并在良率表现方面依旧处于行业领先水平。”

SK海力士已与核心客户完成HBM4的供应谈判，计划于第四季度启动量产出货。三星计划在“Samsung Tech Fair 2025”技术展览会上亮相其第六代12层HBM4产品，并计划今年晚些时候进入量产阶段。

分析师分析预计12层HBM4产品的售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上。

SK海力士的财报也指出已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品。更为关键的是SK海力士已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求预计2026年DRAM出货量将同比增长超20%并预测HBM供应紧张将持续至2027年。

存储龙头，上High NA EUV了

High NA EUV是一项关键技术它开启了半导体产业的下一章。

这并非对High NA EUV光刻机的吹捧而是当前芯片制造的现状。对于存储行业来说亦是如此。

High NA EUV光刻机是下一代芯片制造的关键技术与传统EUV相比它能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度光学精度提升了40%。这对于生产密度更高、更节能、性能更强大的芯片以及先进存储产品至关重要。

本月市场消息称三星电子正加速押注DRAM领域从ASML购入5台全新High-NA EUV光刻机其中两台将部署在三星半导体代工事业部其余设备则专供存储事业部。

此前三星曾在京畿道园区引进过一台用于研发的High-NA EUV设备此次引进的机器将用于“产品量产”对于三星来说尚属首次。

上个月SK海力士也刚刚宣布已将业界首款量产型High NA EUV引进韩国利川M16工厂不过当前引进的High NA EUV多用于研发、试生产并非当前一代产品就会使用High NA EUV生产。

美光另辟蹊径？

随着与三星电子和SK海力士的竞争日益激烈美光科技正在加速其10纳米以下DRAM工艺路线图的推进。

据悉美光正在评估两条潜在的路线图。一条路线遵循常规顺序从目前的第七代(1d) 10nm工艺发展到大约10.1nm的第八代(1e)。另一条路线则更具雄心它完全跳过1e步骤直接过渡到真正的9nm DRAM工艺。

存储两龙头还搭上了OpenAI

日前三星电子和SK海力士分别与OpenAI签署协议宣布作为核心合作伙伴参与全球人工智能基础设施项目Stargate。

Stargate是OpenAI价值5000亿美元的数据中心基础设施项目计划为OpenAI的ChatGPT建设专注于AI的数据中心。目标是在2029年前投入运营。OpenAI正与软银和甲骨文在该项目上开展合作。

此外OpenAI还正与三星和SK海力士合作在韩国建设两个数据中心初始容量为20兆瓦。未来一段时间三星和SK海力士将扩大内存芯片产量目标是每月90万片DRAM晶圆。Stargate订单可能还包括服务器DRAM、图形DRAM甚至SSD。