英伟达与台积电在美国亚利桑那工厂实现Blackwell AI芯片本土制造里程碑

事实上，早在今年四月，黄仁勋就承诺投入5000亿美元押注美国本土的AI芯片制造，即所谓的「美国制造」。

经过大半年努力，如今，最强的Blackwell芯片首次在「美国本土造」成功下线！

将世界级AI芯片制造能力迁移至美国本土

将台积电的尖端制造技术引入美国，被「芯片之父」形容为「一项神来之笔，更是足以重塑行业格局的里程碑。」

在我创立台积电之初，就怀有一个梦想：在美国建设先进的晶圆厂。

如今，这一梦想已成为现实。

在凤凰城的工厂区域内，生产流程已经提前启动。

而该项目的总投资额，也已增长至一个令人瞩目的数字——1650亿美元。

在人工智能领域，英伟达是所有竞争者中的领先者。

但即便是这位AI领域的王者，也坦诚地承认：「没有台积电，这一切成就都无法实现。」

我们能够在指甲盖大小的芯片上，集成数百亿个晶体管。我们发明了图形处理器，彻底变革了计算机图形学与人工智能。

我们开启了加速计算的新纪元，而这一切，都依赖于他们（台积电）为我们生产的芯片。

在庆祝仪式上，黄仁勋与台积电运营副总裁一同登台，在这片Blackwell晶圆上签名，以纪念这一重要里程碑。

它表明驱动全球AI基础设施的核心组件正开始在美国本土制造。

这片作为半导体基础的晶圆，将经历分层、光刻、蚀刻和切割等一系列精密工艺，最终形成英伟达Blackwell架构所提供的超高性能、加速计算AI芯片。

台积电亚利桑那州工厂将生产涵盖2纳米、3纳米和4纳米芯片以及A16芯片在内的先进技术，这些对于人工智能、通信和高性能计算等关键应用至关重要。

对美国而言，这个宏大项目的意义已超越技术层面——它更代表着制造业的复兴。

我们正将就业机会带回美国，建设能够持久发展的芯片制造业。

这可能是半导体产业在美国迎来的一次最关键转折点。

新一代芯片在美国本土正式下线

Blackwell是英伟达新一代人工智能超级芯片。

Blackwell架构首次于2024年3月18日在GTC大会上由黄仁勋在主旨演讲中正式对外发布。

简要介绍Blackwell的基础架构。

• 晶体管数/规模：Blackwell架构GPU包含约2080亿个晶体管。
• 工艺/芯片制造：Blackwell芯片采用英伟达与台积电合作定制的4NP工艺。
• 芯片互连：为突破单片硅片面积限制，Blackwell GPU由两个子芯片构成，通过一种新型高带宽接口（NV-HBI）互联，连接速度可达10TB/s（每秒10太字节）。借此，两个子芯片在逻辑上可视为一个统一GPU，从而实现「全性能链接」。

在GTC 2025上，黄仁勋提到Blackwell目前已进入「全面量产/全面投入」阶段。

此次首片晶圆由美国本土生产下线，标志着重要进展。

接下来，Blackwell之后的系列产品，都有望在美国生产。

Blackwell之后是Blackwell Ultra，作为Blackwell架构的演进版本，用于应对更大模型推理、更高性能与带宽需求的AI训练与推理场景。

Blackwell的下一代是由Rubin GPU 与 Vera CPU组合而成的「Vera Rubin」超芯片平台。

黄仁勋在2025年GTC上宣布，计划于2026年下半年上市，目标指向下一阶段的大模型训练与推理。

英伟达的芯片路线图中将Feynman标注为Rubin的后继架构，时间窗口指向2028年。

在此之前，将于2027年率先推出Rubin Ultra。

参考资料

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/