长江存储科技拟2026年占据15%全球份额，中国存储半导体技术飞速发展

总部位于湖北武汉的长江存储科技，设定了雄心勃勃的目标：到2026年底，其NAND闪存产品的全球销量份额将达到15%。这一战略规划凸显了中国在存储半导体领域的进取心。

面对长江存储最新量产的存储芯片，竞争对手的技术人员不禁感叹：“完全没想到他们的技术水平能提升到如此高度！”据悉，该芯片的堆叠层数已突破270层，与三星电子的先进工艺相差无几。与此同时，长江存储的NAND闪存出货量份额首次超越10%的关键节点，标志着中国半导体在中美科技博弈的背景下，依然实现了技术上的快速跃升。

中国在存储半导体领域的存在感正日益凸显。在用于长期数据存储的NAND领域，龙头企业长江存储（YMTC）的出货量份额历史性地超过10%。借助中国政府推动国产半导体应用的优惠政策，长江存储的技术实力得到迅速提升。尽管目前其业务仍以中国市场为核心，但这一态势无疑将对铠侠控股等日美韩存储厂商的经营格局带来深远影响。

竞争对手的技术人员对长江存储于2025年2月前启动量产的新型存储芯片感到震惊，因为其堆叠层数达到约270层，逼近韩国三星电子，且采用了与行业巨头同级别的技术。更值得关注的是，长江存储还率先引入了一些其他厂商尚未采用的生产成本优化方法，进一步增强了竞争力。

根据香港调查公司Counterpoint的数据，2025年第一季度，长江存储在全球NAND闪存出货量中的占比首次达到10%。到第三季度，这一数字同比增长4个百分点至13%，直逼全球第四的美国美光科技。在中国本土品牌的笔记本电脑和智能手机中，长江存储的产品渗透率正不断提升，预计全年市场份额有望突破10%。

尽管按销售额计算，长江存储目前仅占全球市场的8%，但Counterpoint分析师MS Hwang预测，到2027年，其销售额份额同样有望达到10%。

长江存储的目标是在2026年底之前拿下15%的销量份额。为此，公司正积极推进武汉周边工厂的投资扩产。现有投资计划完成后，长江存储的全球供应量占比将接近20%，超过日本铠侠，直逼韩国SK海力士。

在DRAM领域，长鑫存储技术（CXMT）同样展现出强劲的增长势头。2025年第三季度，其市场份额达到8%，位列全球第四，而2024年同期仅为6%。长鑫存储正大力增产适用于个人电脑和智能手机的通用DRAM产品，据估算已占据中国国内约40%的市场。

然而，在面向生成式AI的高性能高带宽存储器（HBM）领域，中国厂商仍存在技术差距。SK海力士等领先企业已量产第6代HBM，而长鑫存储目前仅处于第3代水平，技术代差约5年。

长江存储和长鑫存储等中国企业在价格上展现出显著优势。据TechInsights调查，中国生产的NAND闪存较其他国家同类产品便宜10%～20%。这种价格竞争力正逐步改变市场格局。

美国IDC数据显示，2024年中国智能手机出货量同比增长6%，达到2.86亿部，占全球总量的23%。分析指出，铠侠总销售额中约20%来自中国市场。若中国存储芯片在本土市场的采用比例持续攀升，日美韩厂商可能面临份额萎缩和利润压缩的双重压力。

不过，中国存储企业能否在海外市场取得突破仍存变数。美国政府于2022年将长江存储列入实体清单，禁止美国企业在未经许可的情况下向其提供设计技术。此前，苹果曾考虑在iPhone中采用长江存储的芯片，但最终因政治因素放弃。

日本厂商态度同样谨慎，“出于质量和安全顾虑，目前并未积极采用中国存储芯片”（铠侠高管语）。然而，回顾中国光伏、电池及电动汽车等产业的发展轨迹，凭借价格优势迅速占领海外市场的案例并不少见。

国际半导体产业协会（SEMI）专家青木慎一指出：“即便受美国限制难以采购最先进的设备，中国厂商的良品率仍在稳步提升。”另一位存储器技术专家也认为：“如果当前的价格差得以维持，其他国家迟早会加大对中国存储半导体的采购力度。”