存储巨头战略大挪移：AI引爆DRAM产能竞赛，价格狂飙至2027？

“行情一天一变，甚至一天几变”，深圳华强北的存储商家如此形容眼下的市场态势。这标志着存储产业已迈入超级周期的典型阶段。

众所周知，AI需求的井喷式爆发，正推动存储行业经历一场深刻的结构性重塑。2025年下半年以来，尤其是最近数月，存储市场全面进入加速上扬通道，原厂盈利能力显著增强，HBM供应持续吃紧，SK海力士截至2026年底的产能已基本被AI大客户包圆，三星能够留给中小客户的份额甚至不足10%。

在HBM之外，这股浪潮中，DRAM作为存储领域的另一核心赛道，重新成为各大厂商战略布局的焦点，受到热烈追捧。

面对当前存储市场供不应求、价格节节攀升的格局，三星电子、SK海力士、美光三大存储芯片巨头纷纷祭出差异化的应对策略，以期适应市场剧变，抢占未来竞争的高地。

AI浪潮之下，存储巨头产能转向与豪赌

三星：压缩HBM产能，扩充DRAM产线

近期，三星电子计划将其用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能调降30%-40%，转而投向第五代1b纳米制程的通用DRAM生产，此举预计每月可新增约8万片晶圆的产能。

据悉，目前三星的HBM3和HBM3E内存均基于1a纳米制程的DRAM，而HBM4则依赖于1c纳米制程，旨在与SK海力士展开正面竞争。1b纳米制程的产能则主要被通用DRAM占据，涵盖DDR5、LPDDR5X等产品，同时也部分用于生产GDDR7。因此，对三星而言，其1b制程DRAM的盈利能力已超越受益于HBM高价的1a制程，这直接推动了其产能从HBM热潮向DRAM的转移。

据了解，三星此番调整背后，利润考量是关键因素。三星内部评估显示，尽管HBM产品单价较高，但其议价能力相对较弱。虽然三星HBM3E良率已有显著提升，并于今年下半年成功进入英伟达HBM3E供应链，但供应量仍然有限，且向英伟达等大客户供货的价格低于竞争对手，导致当前HBM3E产品的利润率仅维持在30%左右。

此外，英伟达、AMD等头部厂商计划从明年起将其主要产品需求过渡到HBM4，这将导致HBM3E市场需求萎缩。据预测，明年12层HBM3E产品的售价可能再降30%以上，这意味着三星HBM3E的利润率或将进一步承压。

而与之形成鲜明对比的是，在AI热潮下，HBM挤占了标准DRAM的产能，短期内DRAM扩产幅度有限，导致基于1b纳米制程的通用DRAM产品供不应求，价格持续走高。三星基于1b DRAM产能的DDR5等通用DRAM，其利润率预计将超过60%，远超HBM3E产品。

因此，对三星来说，降低HBM3E产能，扩大标准DRAM产出显然更为有利可图。

不仅如此，三星还将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，重点聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品，以快速响应AI服务器的旺盛需求。

另一方面，为抢占HBM4先机，三星也在加紧提升1c纳米DRAM的生产能力，计划到2026年第二季度将产能提升至每月14万片晶圆，到第四季度进一步提高到每月20万片晶圆。据TrendForce报道，为实现这一目标，三星一方面通过现有DRAM生产线过渡，另一方面通过平泽P4工厂的新投资来实现。

不过最近也有传闻称，三星对HBM4的投资态度趋于谨慎，可能正在考虑进一步削减投资。

从整体来看，在这场产能布局的调整中，三星展现出了果断的决策力。通过这一系列举措，旨在优化产能配置，提升生产效率，从而在激烈的市场竞争中占据更有利的位置。

正如业内知情人士透露：“三星致力于在明年取得优异的市场业绩，其核心目标是实现比SK海力士更高的利润，并在盈利能力方面实现赶超。因此，这也是三星计划保持DRAM产量的高速增长，并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM的原因所在。”

SK海力士：通用DRAM需求井喷，产能激增8倍

与三星的战略调整相呼应，SK海力士也在同步优化自身的产能布局。

据报道，为应对旺盛的DRAM需求，SK海力士计划将DRAM产能投资目标翻倍。不过不同的是，SK海力士的大部分DRAM产能扩张仍主要投向HBM等数据中心产品的应用。

SK海力士在其第三季度财报会上进一步强化了这一预期：“尽管通用DRAM的利润率可能与HBM相近，但我们不会仅仅因为盈利能力的暂时性变化就立即调整产能结构。”

可见，SK海力士的扩产规划与旨在通过扩大通用DRAM供给来提升获利的三星电子存在差异，其更倾向于通过提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利，毕竟SK海力士在HBM领域的市场份额遥遥领先，并且2026年的HBM产能已销售一空。

对此，SK海力士M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固其在HBM市场50%以上的份额优势，未来预计可扩大至5.5万-6万片。

业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60%。其明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元。若维持与今年相同的利润率，SK海力士仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50%。

不过值得注意的是，在加码HBM产能的同时，SK海力士并未放缓通用DRAM的布局。SK海力士的产能提升计划重心主要集中在最先进的1c DRAM技术节点。

据韩国媒体报道，SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。

据业内人士透露，SK海力士已将1c DRAM的良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品。而此次扩产后的1c DRAM将主要聚焦于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。

此前，SK海力士将产能重点放在HBM上，判断HBM需求增长将超过通用DRAM。但随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当。在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择。

英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用的是GDDR显存而非HBM显存，直接部署在处理器旁边。英伟达使用的面向AI服务器和PC的内存模块标准的SOCAMM2内存模块同样采用1c DRAM，与HBM相比带宽较低但能效更高。谷歌、OpenAI和亚马逊网络服务等大型科技公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器。

在此行业趋势下，业内人士预测SK海力士将获得一定数量的供应订单。

这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正将战略重心从HBM扩展至更广泛的AI内存市场。相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长。

综合来看，在HBM和通用DRAM双轮驱动下，业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。

美光：多项业务收尾，全力聚焦高价值DRAM

相较于韩国存储双雄，美光的战略转向显得更为决绝。

美光不仅选择终止移动NAND产品开发，甚至不惜砍掉消费类业务品牌Crucial，计划将这部分产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品上来，将未来所有产能和研发资源全力投向数据中心市场，以满足AI领域日益增长的需求。

这个看似简单的品牌“停摆”决策，背后藏着一张利润表的激烈博弈。据美光内部一份未公开的财务数据显示，2025年上半年，数据中心存储芯片的毛利率高达42%，而消费级存储产品的毛利率仅为14%，前者的利润是后者的3倍。

对此，Crucial品牌运营负责人在内部会议上无奈表示：“我们不是放弃消费者，而是在资本的选择里，没有太多余地。”

TrendForce集邦咨询报告指出，美光目前正在新建多个工厂的产能。比如，在中国台湾的A5工厂，主要是扩大HBM堆叠能力，目前正计划破土动工；美光在美国的ID1晶圆厂位于爱达荷州博伊西市美光研发中心附近，奠基仪式于2024年举行，预计新晶圆厂将于2027年上半年开始生产晶圆；在美国的ID2晶圆厂的第二阶段将在第一阶段晶圆厂完工后开始建设，并比N.Y.Fab更早进入大规模生产；位于美国的N.Y.Fab目前仍处于准备阶段，计划于 2025 年底开始破土动工，预计将于2030年前进入量产阶段；位于日本广岛工厂预计将于 2026 年开始建设，主要将用于HBM相关生产。

值得注意的是，在爱达荷州的博伊西晶圆厂，美光把原本生产消费级存储芯片的3条生产线，全部改成了生产HBM和数据中心用DRAM芯片的生产线。“我们跟英伟达签了一份为期3年的供货协议，每年要给他们供应至少120万颗HBM芯片，为了完成这个订单，我们不得不调整产能。”美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示。

据路透社消息，在经过大规模的市场调查之后发现，今年10月，谷歌、亚马逊、微软和Meta也纷纷向美光提出了“无限期订单”，他们告诉美光，无论价格如何，只要能交付多少，他们就会接收多少。这或许也能解释，美光为何不惜砍掉自家的消费类品牌来增加数据中心/企业级的供给。

美光科技首席商务官Sumit Sadana在接受采访时表示，2026年DRAM内存供应形势将比当前更为严峻。他指出，HBM产品对晶圆的消耗约为传统DRAM的三倍，而主要厂商正将大量产能转向HBM，叠加新建DRAM晶圆厂成本上升与周期延长，短期内难以实现大规模扩产。美光计划于2026年小批量交付HBM4，有望提升其在该领域的市场份额，逐步接近整体DRAM市场的占有率水平。

今年6月，美光宣布开始逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量将逐步下滑，直至最终彻底停产。这一动作清晰地展现出其对高端产品的倾斜与对未来趋势的前瞻判断。美光通过聚焦高价值存储战略，强化了其在高端存储市场的优势，也为未来发展积蓄了新的动能。

不过，随着智能手机、汽车等领域DRAM搭载量持续提升，美光正与客户协商调整车用内存定价策略，并将适当延长DDR4内存生产以满足市场需求。

产能转向背后，深层逻辑与三重驱动

分析来看，存储巨头的产能转向并非偶然，而是由利润、需求和技术三重因素共同驱动的战略调整，但其路径选择却因各自市场地位与技术储备的不同而呈现出显著差异。

利润是最直接的驱动力： 三星的HBM3E因定价较竞争对手低约三成，且市场份额有限，营业利润率仅为30%左右。相比之下，AI热潮导致的供应紧张，使得基于1b纳米制程的通用DRAM（如DDR5）的预期利润率超过60%。这一巨大的利润差，直接驱动三星计划将30%-40%的1a纳米HBM3E产能转向通用DRAM；

而SK海力士因其在HBM市场占据绝对主导地位，其HBM业务利润率高达约70%，因此其重心仍优先保障HBM，但也同时加速扩产1c DRAM，应对通用DRAM利润率即将追平HBM的市场变化；

美光则最为决绝，通过砍掉消费级品牌Crucial，将全部产能和资源重新分配给利润率数倍于消费级产品的数据中心/HBM市场，规避低利润陷阱。

市场需求的变化同样关键：在需求层面，AI应用从训练向推理及边缘侧延伸，引发了对大容量、高性价比存储的结构性变化。这不仅持续推高HBM需求，更催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求。例如，英伟达新发布的AI加速器也采用了基于通用DRAM的解决方案。面对谷歌、微软等云巨头“无限期订单”的强劲需求，巨头们不得不重新评估产能分配。

面对AI浪潮下的市场结构变革，三星聚焦AI服务器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，抢抓通用DRAM短缺红利；SK海力士兼顾AI训练对HBM的刚需与AI推理对GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期订单与长期趋势；美光则响应英伟达、谷歌等巨头的“无限期订单”，加码数据中心存储供给。

技术与产能的适配性是战略落地的基础：HBM生产复杂、良率爬升慢，挤压了通用DRAM的晶圆产能。因此，三巨头的制程策略出现分化：三星以1b制程提升通用DRAM产能效率，同步押注更先进的1c纳米制程用于未来HBM4，以寻求技术超车；SK海力士则基于其领先优势，选择将更成熟、可快速扩产的1b纳米制程作为HBM3E/HBM4的产能基石，实现通用产品快速扩产，规避HBM复杂工艺的产能限制；美光通过产线改造与DDR4停产，集中资源攻克HBM4技术与高端DRAM领域，适配高端市场需求，三者均以制程升级实现产能优化与利润最大化的双重目标。

同时，为快速响应市场，三星和SK海力士都在大幅扩建1c纳米通用DRAM产能，而新建工厂周期较长，普遍到2027年及以后才能达产，也迫使它们必须优化现有产能。

存储三巨头，博弈与分野

在这场存储盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨头凭借技术优势、市场份额与产能规模，成为最大受益者，各自谋划未来蓝图。

三星电子、SK海力士和美光科技在DRAM领域的竞争呈现差异化特征。三星正以规模优势重塑其市场地位，计划将每月1b纳米制程产能增加约8万片晶圆。该公司计划通过平泽Fab 4工厂的1c制程专用产线，在2026年将DRAM产能提升至每月15万片。

从市场份额来看，2025年Q1三星在全球DRAM市场的份额为34%，落后于SK海力士的36%。但三星凭借其强大的技术实力和产能优势，采用“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士，重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座。

SK海力士则采取了不同策略，作为HBM市场的绝对龙头，选择聚焦高壁垒的HBM3E/HBM4产能扩张，短期以HBM3E保障英伟达、谷歌等核心客户的确定性需求，规避HBM4量产过早带来的技术验证风险；长期通过HBM4、HBM4E的技术迭代与产能扩张，维持市场龙头地位并锁定高端溢价。

同时增加数据中心级DRAM供应，以1c制程扩产为核心抓手，既通过数据中心专用产品承接AI算力爆发需求，又灵活调整通用DRAM产出，把握价格上涨周期的盈利机遇，同时保障客户供应链稳定。

SK海力士在DRAM与HBM两大赛道的布局始终紧跟市场需求变化，形成核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位的双轨战略。据报道，SK海力士2026年全系列存储订单基本已经售罄。

在面对市场变化和竞争压力时，美光的策略更加聚焦。在退出中国数据中心市场后，美光将资源集中于HBM4技术研发与DDR5产能建设，计划在2026年将HBM产能增加四倍，并加速 1α 纳米制程的量产。同时主动缩减消费级DRAM品牌业务，将产能优先分配给苹果、谷歌等高价客户，这一举措虽然在短期内可能会影响美光在消费市场的份额，但从长期来看，有助于美光提升整体利润率。

在技术研发上美光也不遗余力，不断提升HBM和DDR5的性能指标，以满足高端市场对存储性能的严格要求。

存储涨价潮持续，重塑产业链

存储巨头的产能转向正在对整个行业产生深远影响。

对消费电子市场的影响首当其冲。有业内人士表示，内存价格已经飙升到“几乎负担不起”的程度。这种局面大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解。

在供应链层面，存储模组厂成为受影响最直接的一环，产品随行就市，上游涨价，下游传导。许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价。

能够感受到，产业链重塑正在悄然发生。

尤其是在AI浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型。随着大模型训练和推理对内存容量需求的激增，HBM和DDR5内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链。

市场预计这一供需失衡局面将持续到2027年，当新的产线陆续投入运营，存储行业的格局也将随之改变。不过，随着英伟达将AI芯片更新周期缩短至一年，存储行业的这场技术军备竞赛，远未到停歇之时。