HBF技术：开启NAND存储的“第二春”

当前存储市场正经历一场供需失衡的罕见现象。

随着云巨头持续扩大资本支出，以及人工智能需求的激增，内存供应压力不断增大。三星率先在10月暂停了DDR5 DRAM的合约定价，导致内存价格暴涨。而NAND闪存也在这场涨价潮中扮演了重要角色，尤其是512Gb TLC和1Tb TLC/QLC晶圆价格自9月以来持续攀升。

NAND涨价的背后，除了库存紧张外，还涉及到一个新兴技术概念——高带宽闪存（HBF）。这一概念被视为NAND存储的“高光时刻”，有望让NAND从传统的廉价大容量存储转变为AI时代的核心资产。

HBF：从概念到产业共识

今年早些时候，闪迪在投资者日上介绍了HBF概念，这是一种通过高带宽内存技术实现NAND性能提升的创新方案。通过将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再与GPU或其他处理器实现高带宽连接，HBF试图在DRAM和NAND之间找到最优解。

HBF技术的提出并非偶然。随着AI模型向多模态、长上下文方向发展，对内存的需求愈发巨大。传统DRAM虽然速度快但成本高昂，而NAND闪存虽然容量大但访问速度较慢。HBF则通过架构创新，力求在性能与成本间达成平衡。

具体实现上，HBF依托闪迪的CBA（CMOS直接键合阵列）技术构建核心架构，将逻辑芯片与3D NAND堆叠层键合，并通过类HBM的硅通孔（TSV）连接器实现层间互联。这种设计使HBF在性能与成本间达成精妙平衡，能“匹配HBM内存的带宽表现，同时在相近成本下提供8至16倍的存储容量”。

群雄并起：四大阵营的技术路径

SK海力士：生态联盟的先行者

SK海力士在2025年OCP全球峰会上发布了包含HBF在内的AI产品战略，构建了“AIN Family”产品阵容。其中，AIN B正是采用HBF技术的产品名称，旨在将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合。

SK海力士表示：“随着AI推理市场的迅速增长，能够快速、高效处理海量数据的NAND存储产品需求正在急剧扩大。我们构建了‘AIN（AI-NAND）Family’产品阵容，以面向AI时代的最优解决方案满足客户需求。”

闪迪：技术激进派的豪赌

今年8月，闪迪宣布了HBF的推进计划，将于明年下半年向客户提供HBF样本，并于2027年初为推理AI提供正式产品。这一激进的时间表显示出其对技术前景的强烈信心。

铠侠：多路径探索的务实派

铠侠在HBF赛道上展现出更加务实和多元化的技术探索路径。2025年8月，铠侠发布了一款面向边缘服务器的高速闪存驱动器原型，采用串联连接的闪存“珠子”，使用PCIe 6总线，实现了5TB容量和64 GBps的数据速率。

三星：沉默巨头的后发策略

三星在HBF上显得更为谨慎。据业内消息人士透露，三星已启动自有HBF产品的早期概念设计工作。尽管具备深厚的技术积累，但三星在HBM市场的表现可能影响了其在HBF上的策略选择。

NAND的“第二春”

从廉价存储到高价值核心组件，NAND正在经历一场转型。这场转型与HBM的崛起惊人相似: 都源于AI需求的爆发，都需要突破传统架构的限制。不同在于，HBM的故事已经写就，而HBF的故事才刚刚开始。

对于内存厂商而言，这不仅是技术竞赛，更是一场关于未来AI基础设施话语权的争夺战。2026-2027这个关键窗口期将决定NAND在HBF的加持下能否复制HBM的成功之路。