英伟达黄仁勋出席台积电美国工厂 Blackwell芯片首片晶圆本土下线

英伟达首席执行官黄仁勋亲临台积电设于美国亚利桑那州的芯片制造工厂。

人工智能的核心支撑在于芯片技术。

而芯片技术的实现则依赖于制造工厂。

本周五，英伟达与台积电合作，在美国亚利桑那州的工厂首次公开展示了首片Blackwell架构芯片晶圆。

黄仁勋在活动现场

这些晶圆最终将用于生产专为人工智能设计的Blackwell芯片。

黄仁勋在现场表示：「你们创造了非凡的成就，但你们将意识到，自己正参与一个更加历史性的事件。」

黄仁勋发表讲话

实际上，早在今年四月，黄仁勋就承诺投入5000亿美元推动AI芯片在美国本土制造，即「美国制造」计划。

经过大半年努力，目前最强大的Blackwell芯片首次在美国本土成功制造出来！

将世界级AI芯片制造能力迁移至美国本土

将台积电的尖端制造技术引入美国，被「芯片之父」誉为「一项卓越举措，更是改变行业格局的重要里程碑。」

台积电创始人曾表示，创办台积电时怀有一个梦想，即在美国建设晶圆厂。

如今，这一梦想已成为现实。

在凤凰城的工厂区域，生产线已经提前启动运行。

该项目的总投资额已增至一个惊人数字——1650亿美元。

在人工智能领域，英伟达是其中的最大赢家。

但即便是这家AI巨头，也坦诚承认：「若无台积电，这一切都不可能实现。」

我们能在指甲盖大小的芯片上集成数十亿晶体管。我们发明了GPU，彻底改变了计算机图形学与人工智能。

我们开启了加速计算时代，而这一切都得益于台积电为我们制造的芯片。

在庆典上，黄仁勋与台积电运营副总裁一同上台，在那片Blackwell晶圆上签名，以纪念这一里程碑时刻。

这标志着驱动全球AI基础设施的核心正开始在美国本土制造。

这片作为半导体基础的晶圆，将通过分层、光刻、蚀刻和切割等复杂工艺，最终转化为英伟达Blackwell架构提供的高性能加速计算AI芯片。

台积电亚利桑那州工厂将生产涵盖2纳米、3纳米、4纳米芯片及A16芯片等先进技术，这些对人工智能、电信和高性能计算等领域至关重要。

台积电工厂内部

对美国而言，这一宏大项目不仅具有科技意义，更象征着制造业的回归。

我们正在将就业机会带回美国，建立可持续的芯片制造业。

这可能是美国半导体产业最重要的转折点。

新一代芯片在美国本土正式下线

Blackwell是英伟达的新一代AI超级芯片。

Blackwell架构首次于2024年3月18日在GTC大会上由黄仁勋主题演讲中正式发布。

英伟达Blackwell AI超级芯片示意图

以下简要介绍Blackwell的基础架构。

晶体管数量/规模：Blackwell架构GPU包含约2080亿个晶体管。

工艺/芯片制造：Blackwell芯片采用英伟达与台积电合作定制的4NP工艺。

芯片互连：为突破单片硅面积限制，Blackwell GPU由两个子芯片构成，通过新型高带宽接口（NV-HBI）互联，速度可达10TB/秒。通过此方式，两个子芯片在逻辑上被视为一个统一GPU，实现「全性能连接」。

Blackwell芯片架构细节

在GTC 2025上，黄仁勋表示Blackwell目前已进入「全面量产」阶段。

此次首片晶圆终于在美国本土生产下线。

接下来，Blackwell后续系列都有望在美国生产。

Blackwell之后是Blackwell Ultra，作为Blackwell架构的升级版，用于应对更大模型推理、更高性能需求的AI训练与推理场景。

Blackwell的下一代是由Rubin GPU 与 Vera CPU组成的「Vera Rubin」超级芯片平台。

黄仁勋在2025年GTC上宣布，计划于2026年下半年推出，旨在服务下一阶段的大模型训练与推理。

英伟达芯片路线图中将Feynman标注为Rubin的后继架构，时间点指向2028年。

在此之前，2027年将先推出Rubin Ultra。

黄仁勋介绍产品路线图

参考资料：

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/