AI算力激增引爆NAND闪存供应危机，中国半导体产业链迎历史性机遇

人工智能应用需求持续飙升，对计算资源的需求仿佛没有尽头，叠加全球稀土供应紧张局势，引发了一个严峻后果：AI上游产业链未能同步跟进，出现“断链”风险。

美国闪存领军企业闪迪近日宣布，将NAND闪存合约价格大幅上调50%。闪迪全球市场份额约13%，其涨价决策瞬间震动整个存储供应链。创见、宜鼎国际与宇瞻科技等模组厂商随即决定暂停出货，并重新评估产品报价。

其中，创见自11月7日起全面暂停报价与交货，官方理由为“预期市场行情将持续上行”，潜台词即是“未来价格可能进一步攀升”。

模组厂业务停摆后，最直接的冲击将是AI服务器的制造生产环节，一旦服务器供应滞后，手握大量积压订单的甲骨文、微软等AI巨头，无疑将面临严峻挑战。

然而，对于中国NAND厂商而言，这或许是一个不容错过的战略窗口。

A

闪迪此次涨价根源在于市场需求极度旺盛。该公司2026财年第一季度财报显示，其营收同比增幅达22.6%，并预期下一季度收入将远超市场预测。闪迪高管在电话会议中透露，预计到2026年，数据中心将首次超越移动设备，成为NAND闪存的最大需求方。

这已非闪迪首次调价，其在同年4月与9月已分别执行过10%的全线产品涨价。且涨价潮并非孤例，美光在闪迪9月涨价后立即跟进，涨幅约20%至30%。即便产能充足的三星，也实施了5%到10%的价格上调。

模组厂作为NAND原厂的下游企业，从原厂采购裸芯片后，加工制造成U盘、移动硬盘、存储卡及消费级/企业级固态硬盘等终端产品。

NAND原厂涨价必然传导至模组厂。但闪迪此次高达50%的猛涨，迫使模组厂不得不暂停业务以重新定价，这侧面印证了行业对NAND的渴求程度。

据TrendForce预测，2026年AI服务器出货量同比增速将超20%。单台AI服务器的存储容量远超传统服务器，其NAND用量可达后者的3倍之多。

换言之，NAND供应短缺局面不仅难以缓解，供需缺口还将持续扩大。

传统SATA固态硬盘顺序读取速度约为550MB/s，机械硬盘仅150MB/s，但对于AI服务器的高负荷运算而言，这显然无法满足需求。

基于NAND的NVMe固态硬盘，单盘顺序读取速度可达数千MB/s，配合PCIe 4.0/5.0高速总线，方能基本满足诸如H100等训练级GPU的极致性能要求。这也正是市场亟需海量NAND的根本原因。

B

全球NAND闪存市场规模逾600亿美元，长期由美国、日本、韩国少数巨头主导。几大厂商合计市场份额高达90%左右。中国仅长江存储一家企业在全球市场占据一席之地，截至2025年第二季度，Counterpoint数据显示其市占率为9%。

然而对长江存储而言，当前正是实现弯道超车的绝佳时机。

产能方面，长江存储武汉生产基地现有月产能为10万片晶圆，预计2025年底将提升至15万片/月。按公司规划，2028年总产能目标为30万片/月，届时其全球NAND产能占比有望从当前9%升至15%，跃居全球第四大供应商。

2025年9月，长江存储三期（武汉）集成电路有限责任公司正式成立，注册资本高达207.2亿元，规划月产能10万片，预计2026年投产。

尤为关键的是，长江存储计划于2025年第三季度进军企业级固态硬盘市场，直接瞄准AI服务器应用场景。官方数据显示，企业级SSD的毛利率较消费级产品高出30%至50%。

但进军企业级市场同样面临多重考验。

技术认证层面，企业级存储产品需通过Intel、AMD等平台厂商的兼容性认证，以及微软、VMware等软件厂商的系统认证，认证周期通常需6至12个月。这意味着每代NAND产品完成封装测试后，至少需等待半年方能市场推广。

此外，长江存储还需通过客户端的严格验证流程，方能实现产品大规模部署。该验证过程一般耗时约两年。

值得欣慰的是，长江存储在技术层面已实现突破。其PCIe 5.0企业级SSD采用自研Xtacking 4.0架构，提供3.84TB、7.68TB以及新增的16TB和32TB大容量版本，并可支持每日4次全盘写入，充分满足AI训练对存储耐久性的苛刻要求。

C

不仅如此，此番国产替代机遇很可能辐射至整个半导体产业链。最具代表性的环节当属封装测试，它是连接芯片设计与终端产品的关键桥梁。

该领域国产代表企业包括华天科技、通富微电、长电科技等。

2024年10月，华天科技宣布在南京投资100亿元建设二期先进封装生产基地，目前已投产项目可实现年封装40亿颗芯片的产能，2028年二期全面竣工后，年封装量将突破100亿颗。

长电科技作为长江存储封测服务的主力供应商，承接其70%的晶圆级封装订单，其232层3D NAND芯片的BGA封装良率已达99.2%，且旗下XDFOI高密度多维异构集成技术能完美适配长江存储企业级SSD的需求。

通富微电于2024年启动了总投资35.2亿元的先进封装项目，聚焦高性能计算与存储芯片封装。长电科技的XDFOI Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已实现稳定量产，可支持存储芯片与逻辑芯片的异构集成封装。

长电科技与华天科技2024年全年营收同比增长均突破20%，而通富微电2024年归母净利润同比增幅高达299%。

在设备与材料领域，国产化进程亦加速推进。北方华创已成长为全球第六大半导体设备厂商，其刻蚀设备、薄膜沉积设备、炉管及清洗设备已广泛应用于长江存储生产线。中微公司的等离子体刻蚀机成功打破国际垄断，不仅进入长江存储供应链，更被台积电采纳于5纳米制程产线。盛美上海的清洗设备、中科飞测的量测设备，也在长江存储产线实现规模化应用。

江丰电子的溅射靶材产品已在国内存储厂商批量应用，突破了日美企业在此关键材料领域的垄断。安集科技的化学机械抛光液全面覆盖长江存储12英寸3D NAND产线，14纳米以下先进制程抛光液已取得突破。雅克科技成为国内少数具备NAND/DRAM全栈能力的材料供应商，其前驱体产品直接供应长江存储。

需指出的是，尽管国产设备与材料取得长足进步，但整体国产化率仍处于较低水平。行业数据显示，中国半导体设备国产化率约为30%，其中光刻设备国产化率仅为0至1%，量测设备为1至10%，涂胶显影设备为5至10%。

尽管2025年12英寸大硅片自给率预计可达50%左右，但主要局限于主流制程产品，高端大硅片仍依赖进口；光刻胶领域仅部分企业实现28nm DUV光刻胶量产，高端光刻胶国产化率依旧极低；电子特气预计2025年国产化率仅25%，市场仍有86%份额被海外巨头占据，三者整体国产化水平确实亟待提升。

因此，随着NAND市场实现突破，上游材料与设备领域有望迎来一轮显著增长。