存储芯片超级周期引爆涨价风暴，从HBM蔓延至消费电子

“若非必要，暂缓装机。”踏入12月，广州一家电脑装机工作室的负责人小赖开始如此劝告来访的客户。

他并非拒绝生意上门，而是因为“近几个月内存、硬盘价格飙升，直接拉高了整机成本。部分不熟悉市场动态的客户难以接受，谈完后甚至误以为我们这些DIY商家都在抬价牟利。”市场上也确实存在一些想趁乱以劣质产品冒充好货的不法商家。

种种因素叠加，像小赖这样的DIY服务商面临更多比价和质疑，最终成交率大幅下降。

在北京朝阳区某商场一层经营店铺的DL同样感叹“生意难做”。他告诉「电厂」，快速涨价吓退了不少装机客户，“幸好我们还有电脑维修业务作为支撑”。

身处存储芯片分销链的末端，电脑DIY从业者感受到的市场波动，根源在于存储颗粒原厂的战略转向。

在大模型行业高速发展的背景下，作为算力燃料的芯片需要更高带宽的内存，这也成为云厂商加大采购的重点方向。存储巨头因此开始将产能向此倾斜。

蝴蝶效应层层传导。PC、手机乃至扫地机器人等各类硬件产品都面临成本上升压力，且这一趋势还将延续。

“涨势猛过黄金”

这轮疯狂涨价始于9月底。

小赖向「电厂」回忆，9月底左右，工厂供货报价开始显现上涨势头，价格逐步攀升。

即便如此，实际涨幅仍超出多数人预料。“以第四代内存为例，8G-3200频率，采用海力士或三星颗粒的型号，涨价前均价约70元每根，而截至12月17日，均价已涨至350元每根，涨幅约280%。”小赖说道。

图源：CFM闪存市场

他补充说，此次是全面上涨，连原本以性价比著称的二手拆机件、翻新货乃至俗称“洋垃圾”的海外回流存储内存都出现不同幅度涨价。这让不少从业者惊呼“内存涨价比黄金还凶猛”。

作为对比，同期国际金价涨幅仅10%左右。

小赖提到的第四代内存即DDR4（第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器），广泛用于PC、服务器，并在工控、安防监控等B端市场有大量应用。

这导致装机门槛整体抬高。“在装机市场，原本2000多元就能配齐的入门级配置，现在需要3000元才能完成。”小赖如此表示。

成本压力下，产业链每个细微环节都在寻求更多利润空间。普通消费者短期内很难厘清不同渠道和环节之间的信息差。

市场有消息称，海外电商平台亚马逊上已出现伪造DDR5内存条牟利的商家。这些商家将成本更低的DDR2产品添加配重块并重新包装，冒充高价DDR5销售。

如果说“装机爱好者”代表相对分散和小众的市场需求，内存涨价的涟漪已扩散至更广阔的市场层面。

据市场消息，PC制造商戴尔已于12月17日起调价，全线上调商用PC价格，涨幅因客户合同不同“介于10%到30%之间”。

今年10月，红米K90发布后引发市场热议，消费者焦点在于其大内存版本与小内存版本价差过大。例如K90标准版12GB+256GB版本定价2599元，而12GB+512GB版本定价3199元。

相比之下，K80系列同内存配置的两款产品价差为400元。K90系列高达600元的价差，被用户质疑“变相抢钱”。

最终，小米集团董事长雷军、总裁卢伟冰不得不公开回应，在解释“内存涨价幅度太大”的同时，通过制定首月优惠策略平息争议。

存储原厂产能切换引发连锁反应

当消费电子正应对存储涨价带来的诸多问题时，供应链上游的颗粒大厂，正积极拥抱这三十年一遇的“存储超级周期”。

“目前是纯粹的卖方市场，存储行业正处超级周期。”某上市芯片公司资深采购经理吴云辉向「电厂」总结道。

推动这一周期的根源，是大模型训练不可或缺的“存力”产品——HBM（高带宽内存）。

自大模型浪潮兴起，英伟达代表的算力芯片被视为关键燃料，而存力则是隐藏于算力芯片内部的核心部分。

国内存算一体芯片企业亿铸科技创始人熊大鹏曾解读：“对于大模型，真正壁垒不在摩尔定律，而在存储墙。”例如“H200和H100在算力上提升有限，主要改进在于数据从HBM传输至芯片的带宽优化，使得实际有效算力提升60%至70%，在某些情况下几乎翻倍”。

全球存储芯片市场由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大巨头主导。

2023年，主流存储颗粒如DRAM（动态随机存取存储器芯片）、NAND（非易失性闪存存储器）等仍处下行周期，但存储原厂已察觉到HBM的风向变化。

当年，SK海力士作为全球首家能量产第五代HBM的厂商，率先获得包括英伟达在内的大量订单，几乎垄断了英伟达的相关需求。

SK海力士12层第五代HBM（HBM3E）内存芯片

到年底，三星电子的相关产品进入英伟达H100供应链；美光则从2024年初开始大规模出货其最新第五代HBM产品，也将英伟达列为主要客户。

对于高端HBM产品，英伟达展现出全盘接收的态度。2024年一季度，美光、SK海力士、三星电子陆续宣布当年产能售罄；至2024年中，SK海力士更表示2025年产能已被预订。

销售火热刺激原厂持续加大投入。三星、SK海力士在2024年将超20%的DRAM产线转为HBM生产线；美光则在2024年底获得投资，于爱达荷州和纽约州建设新厂。

HBM对算力芯片的不可或缺性，甚至让存储原厂成为少数能在英伟达面前掌握议价权的供应商——这在以往极为罕见，也是本轮存储周期“迅猛剧烈”的关键变量。

据市场消息，2025年11月，SK海力士在与英伟达的第六代高带宽内存供应谈判中占据优势，成功将价格提高超50%。

在力保HBM供应的背景下，DRAM、NAND等品类本就面临产能挤压。而DDR系列正值换代周期，更给了原厂调整的理由。

从2023年起，英特尔、AMD等厂商开始在处理器中支持最新DDR5产品，推动内存进入更新换代阶段。

尽管DDR4仍有庞大存量需求，但在产能受限的背景下，各大原厂于2025年初纷纷表态，将聚焦附加值更高的DDR5，并计划在2025年底停止DDR4生产。国产存储大厂长鑫存储也紧随其后，计划最迟2026年上半年全面停止DDR4供货。

这正是本轮存储产品涨价潮中，DDR4涨势尤为剧烈的核心原因。

存储厂商满负荷运转，下游客户加速转型

在半导体市场历史上，因技术迭代、厂家清库存等因素，每隔一段时间，存储市场就会经历供应紧张、价格高企的循环；手机等下游客户此时往往加大采购、恐慌性备货。

以往经验显示，每轮周期间隔3-4年。但AI因素的加入，让本轮周期的持续时间充满更多不确定性。

瑞银Nicolas Gaudois团队最新报告指出，存储行业正面临前所未有的供需紧张局势。预计DRAM（包含DDR、SDRAM等类型）供应短缺将持续至2027年第一季度；NAND短缺预计延续到2026年第三季度。

业内传闻中，存储涨价可能持续至2026年底甚至2027年中。面对未知，不同厂商应对策略各异。

吴云辉告诉「电厂」，DDR4原本是其公司多款SoC的标准配置，但涨价已影响第四季度SoC（系统级芯片）出货。

“我们有一些机器人客户，据统计，部分工业场景使用的DDR4型号价格已涨至年初的5-6倍，带来巨大成本压力，原有定价难以覆盖。DDR5也在上涨，但幅度较小，较最低点涨了1-2倍，尚可承受。若到深圳一些分销市场查看，相邻批次的产品之间也存在价差。”他说道。

即使SoC企业通常与内存供应商签有协议，此时也只能“保证供货不保证价格”。面对此况，吴云辉的公司正与客户逐一协商，推动将原有DDR4方案转换为DDR5。

另据界面新闻报道，截至11月中旬，随着上游存储芯片价格疯涨，多家手机厂商已暂缓本季度存储芯片采购。小米、OPPO、vivo等厂商库存普遍低于两个月，部分厂商DRAM库存不足三周。

但观望无法解决问题，在可预见的未来，手机厂商仍需面对原厂的高报价和紧张排期。

“现在下单DDR5，排期估计需五到六个月，”某存储芯片公司员工Qura向「电厂」预估，“我们工厂已满负荷运转。”

这场全球存储产业的调整，最终将传导至每位消费者。

目前，部分小米在售平板电脑、荣耀平板电脑已官宣涨价，前者涨幅在100-300元不等。

图源：TrendForce

研究机构TrendForce集邦咨询最新报告显示，存储器价格将在2026年第一季度显著上涨，对智能手机、笔记本等消费终端的成本和产品策略产生实质压力。

具体而言，原本以内存为核心卖点的中低端手机可能受到严重影响，中端机常见的12GB内存配置将“逐步减少”。

“若内存配置倒退，大家今后换机意愿会更低。”在某数码资讯论坛中，有用户如此评论。