DRAM现货价迎来2025年后首度下调，AI及HBM产能扩张或将驱动存储业步入多年增长长周期

近期，DRAM现货市场报价出现走弱迹象，这也是自2025年9月开启上行周期以来的首次阶段性回调。

此前饱受存储组件价格飙升压力的下游终端制造商，如今终于迎来了一丝喘息的机会。

美银（Bank of America）在最新的行业研究报告中指出：在经历长达数月的单边上涨后，DRAM现货交易价格于上周出现疲软，标志着自2025年9月以来该价格趋势的首次下行修正。

随着现货价格此前持续拉升，已有数家原始设备制造商（OEM）反馈称，在入门级PC、智能手机及平板电脑中，DRAM的成本占比已显著偏离合理区间。通常情况下，存储成本占终端产品售价的比例应维持在10%以内，但若按目前的现货高位价格计算，部分中低端产品线已难以消化高企的物料成本。

然而，现货市场的价格波动逻辑与长约合同价并不完全相同，且头部OEM厂商与中小型组装厂的采购成本也存在显著鸿沟。

美银进一步分析称，DRAM现货价与合约价之间目前仍维持着巨大的溢价空间。一线OEM锁定的DRAM合约单价普遍维持在每GB 10至20美元的区间，远低于现货市场的溢价水平。因此，现货价格在短期内极有可能向合约价水平逐步回归。

部分模组厂商也流露出了观望后的补货意向，他们指出，一旦DDR4或DDR5的价格回落至每单元20至30美元的理性区间，无论产品规格如何，市场都将迸发出强劲的追加采购动力。

美银强调，目前尚不宜将此次回调解读为“行业景气度反转”或“硬着陆”的先行信号，但短期内的价格震荡确实已经开始触及终端市场的成本耐受极限。

尽管现货端出现短暂下修，但从主流机构的预测来看，涨价依然是存储产业中长期的“主旋律”。

TrendForce（集邦咨询）今日发布的最新存储产业调研显示，2026年第一季度，AI算力的爆发与数据中心的扩建将持续加剧全球存储器的供需错配。原厂的议价话语权有增无减，已全面上修了2026年首季DRAM与NAND Flash各类产品的环比涨幅预期。其中，常规DRAM合约价的环比涨幅预期从此前一月初预测的55%~60%大幅提升至90%~95%；NAND Flash合约价的环比增幅则由33%~38%上调至55%~60%，且后续仍存在继续调高的可能性。

此外，美银已同步上调了存储产业的中期基本面展望，将2026年DRAM与NAND的平均销售价格（ASP）预期大幅上调了20%以上。同时，基于HBM（高带宽存储器）的强劲扩产趋势，以及晶圆厂在电力、土木等基础设施方面的投入激增，美银也相应提高了对出货量增长及资本支出的假设。

美银总结认为，在AI驱动的刚性需求与HBM产能分配的支撑下，存储行业的中期基本面依然保持积极向上。未来的观察重点在于价格回调的深度以及终端消费市场对成本的消化速度。机构依然看好存储产业具备跨年度的成长潜力，但预计2026年第二季度至下半年ASP将趋于稳定，而到了2027年，市场可能会迎来幅度在10%以内的常态化价格修正。