位于美国亚利桑那州的凤凰城,矗立着英特尔最前沿的晶圆厂。在9月末的几天里,雷科技有幸被英特尔邀请至其年度技术盛会ITT,跨越太平洋来到这座美丽的沙漠绿洲城市,亲眼见证了英特尔最新科技成果的辉煌。
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在参观英特尔工厂的间隙,我们得以聆听来自英特尔高级首席工程师Arik Gihon、英特尔院士Carlos Cordeiro以及英特尔副总裁Chris Auth的讲解,他们为我们揭示了即将上市的Panther Lake架构背后的技术奥秘。
Panther Lake是首个采用英特尔Intel 18A工艺的消费级产品平台。作为英特尔目前最先进的量产制程,Intel 18A工艺展现出两大创新特性:RibbonFET环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电。
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其中,RibbonFET环绕栅极晶体管是英特尔为2nm及以下制程准备的一项新技术,它用新的晶体管架构取代了传统的FinFET架构,解决了工艺升级带来的漏电和性能不稳等问题。
对于这一疑问,可以这样理解:CPU可以被视作一座城市,而晶体管则是构成这座城市的大楼。大楼间的通道供电流通过并流向对应的晶体管。然而,随着工艺制程的升级,大楼间的间隙会变得越来越窄(即晶体管密度提升),此时电流就可能直接跳过大楼,直接流向隔壁通道。这不仅会导致原本接收电流的晶体管得不到供电,还会让隔壁通道的电流激增,影响晶体管的正常运行,甚至可能击穿晶体管,损害CPU。
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为了解决这一问题,英特尔设计了RibbonFET环绕栅极晶体管技术。这项技术将电流通道做成细长的“纳米线/片”,并用栅极(电流开关阀门)360°环绕电流通道,以最大程度地控制电流的移动方向,显著降低漏电等问题。
除了RibbonFET外,英特尔还在Panther Lake上引入了PowerVia背面供电技术。这项技术将原本置于芯片正面的供电模块转移到了背面,不仅减轻了芯片正面的散热压力,也让电流可以更高效地进入晶体管。
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这项革新能够显著降低供电损耗,使CPU能够以更低的功耗实现满功率运行,并带来更高的性能上限(因为供电更充足且散热压力变小)。结合RibbonFET环绕栅极晶体管的升级,Panther Lake处理器能在更低的功耗下实现更高的性能,并且性能更加稳定。
Panther Lake带来的不仅是Intel 18A工艺,还有全新的架构设计。新架构从传统的单片设计转向多芯片设计,即把处理器划分为多个功能芯片模块,再利用Foveros 2.5D封装技术集成到一个封装基板上。
模块化的设计让英特尔能够像搭乐高积木一样设计和制造芯片,既节省成本也便于工程师根据产品使用需求定制化设计处理器。例如,面向轻薄本的处理器可以采用较小规模的GPU模块来降低功耗;而高性能笔记本电脑则可用更大规格的GPU模块来提升性能。
除了采用新一代模块化设计外,Panther Lake还全面升级了大小核架构,引入了全新的性能核Cougar Cove和效率核Darkmont。Cougar Cove实际上是下一代Nova Lake架构的性能核,在IPC和主频等方面都有显著提升。大家可期待这颗性能核在游戏等高负载应用上的表现。
Panther Lake的GPU搭载了全新的Xe3锐炬核显(代号Celestial),这是Intel第3代Xe架构图形单元的首次亮相。与上一代Xe2 (Battlemage)相比,Xe3在架构上进行了大幅升级,核心数量和频率上限都有所提高。
最后聊聊NPU。作为新生代处理器的重要组成部分,Panther Lake的第五代NPU在算力上有了显著提升,最高可达50 TOPS。虽然对比GPU的算力来看并不高,但也是前代的数倍。
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