半导体核心设备新焦点：刻蚀与薄膜沉积

近期，中微公司发布的财报揭示了半导体设备市场的关注点正逐步从光刻机扩展到刻蚀、薄膜沉积等核心设备领域。

2025年前三季度，中微公司营收达到80.63亿元，同比增长46.40%。其中，刻蚀设备收入占61.01亿元，同比增长38.26%；LPCVD、ALD等薄膜设备收入则实现了1332.69%的同比增长。

随着半导体行业的发展，刻蚀和薄膜沉积正成为市场关注的核心领域。

半导体设备，最新焦点

半导体制造的核心设备涵盖前道晶圆制造与后道封测两大类，前道设备技术壁垒最高，主导市场份额。

其中，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要设备。根据SEMI的数据，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。具体到作用：

光刻机如同“投影仪”，通过光源将电路图形转移到晶圆，决定芯片最小线宽。

刻蚀机是“雕刻刀”，选择性去除多余材料，精准复刻图形。

薄膜沉积设备负责沉积导体、绝缘体等膜层，构建芯片基础结构，主要分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）三类。

这一系列设备中，刻蚀与薄膜沉积之所以成为当前产业关注的新焦点，其背后是半导体工艺演进至先进制程带来的必然逻辑变迁。

第一点，目前EUV光刻机的波长限制在13.5nm，它做出来的线条只能做到14nm。从65nm制程演进至7nm制程，光刻步骤数量仅增加了约30%，但刻蚀步骤数量却激增了超过300%。

第二点，随着3D堆叠存储的发展，3D NAND为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增加。这使得对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长。同时，3D NAND堆叠层数不断增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流。

第三点，GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术。GAAFET相比于FinFET的刻蚀工艺用量显著增加。根据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%。

Q3设备进口数据，透露哪些信息？

根据海关总署数据，2025年Q3前道设备进口总额为101.87亿美元，同比增长15.28%，环比增长33.15%，创历史新高。其中CVD设备、干法刻蚀设备等核心工艺设备进口数量和单价均处于历史高位。

半导体设备，多点开花

根据国际半导体产业协会SEMI预测，2025年全球半导体晶圆厂前端设备支出将达1100亿美元。在数据中心和边缘两端芯片需求走高背景下，预计2026年将达1298亿美元。

刻蚀设备

从技术路径来看，刻蚀工艺主要分为湿法刻蚀与干法刻蚀两大路线。随着半导体制造向更先进节点发展，干法刻蚀在高端制程中占据主导地位。

在全球竞争格局中，半导体刻蚀设备主要被泛林、应用材料和东京电子三家厂商所垄断。国内厂商如中微公司、北方华创等尚处于追赶阶段。

薄膜沉积设备

半导体薄膜沉积设备主要分为化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）三大类。

当前市场主要由美、日厂商如AMAT、LAM、TEL等所主导。国内企业如北方华创、拓荆科技等在薄膜沉积设备上不断取得进展。