存储巨头财报亮眼：AI驱动市场进入新繁荣期

近期，全球存储市场热度不减。

在《存储芯片“超级周期”，真的来了？》一文中，笔者对存储市场周期进行了分析预判，提及“超级周期”、“前所未有的新繁荣”等行业论述持续升温。

近日，三星电子、SK海力士、西部数据等全球存储芯片巨头相继发布最新季度财报，业绩全面超过预期，赚得盆满钵满。

这一亮眼表现不仅标志着存储芯片企业从去年的行业低谷中强势复苏，或许进一步印证了市场关于存储芯片进入新一轮“超级周期”的论调。

存储巨头财报解析：营收利润双爆发，正式迈入上升周期

三星电子：存储业务强势反弹，利润达近三年最高

2025年第三季度，三星电子交出超预期成绩单：营收达86.1万亿韩元，同比增长9%，环比增长15%；营业利润飙升至12.2万亿韩元，同比增长32.6%，环比激增159.6%，创下近三年来最高水平。

其中，存储业务成为绝对增长引擎。

从业务结构来看，设备解决方案（DS）部门营收33.1万亿韩元，环比增长19%，其中Memory业务营收26.7万亿韩元，环比增长26%，同比增长20%，占集团总营收的31%，成为本季度拉动业绩的“发动机”。

这一增长主要得益于AI服务器和高性能计算市场的旺盛需求，生成式AI与大模型训练对内存带宽和容量的高要求，推动HBM与DDR5成为核心增量来源。

三星在HBM领域的布局也取得重要进展。据悉，三星128GB DDR5、24Gb GDDR7等高端产品已进入量产阶段，HBM3E实现规模化出货，单季度比特销量环比增长80%。更值得关注的是，HBM4样品已交付所有目标客户，其低功耗下11Gbps的传输性能正吸引英伟达等AI巨头调整原定计划并提出更高性能要求，计划2026年正式量产。

另一方面，三星的产能与技术布局同步升级。

据财报会披露，三星计划2025年投入47.4万亿韩元用于设施建设，其中86%的预算投向半导体部门，重点扩建1c DRAM产线满足HBM4需求、推进24GB GDDR7量产及高密度QLC固态硬盘开发。

在先进制程方面，2纳米GAA工艺正推进量产准备，计划2026年在美国泰勒工厂正式投产，尽管目前试产良率约30%，但通过优化制程与扩大4纳米成熟节点产能，力求平衡技术领先性与商业化可行性。

在技术创新方面，三星正在加速押注DRAM领域，从ASML购入5台全新High-NA EUV光刻机，其中2台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。这标志着三星在先进存储技术方面的投入进入新阶段。

与此同时，三星与英伟达展开深度合作，共建全球首个AI半导体工厂，部署超过5万块NVIDIA GPU提供算力，通过数字孪生与GPU加速光刻技术提升生产效率。同时，“芯片-终端-显示-车载”四大业务形成闭环，DS部门的AI存储产能扩张与DX部门的AI终端普及相互反哺，推动集团整体盈利能力持续改善。

从财务表现来看，三星的盈利能力显著改善。存储业务的营业利润达到7万亿韩元，占集团整体利润的过半，这主要得益于产品价格上涨以及库存价值调整等一次性成本显著降低。公司预测，2026年对存储器需求将比往年更强劲、更快，主要客户订单量已超过自身供应能力。

SK海力士：HBM领跑行业，利润刷新记录

SK海力士在本轮浪潮中表现尤为抢眼。

2025财年第三季度，SK海力士业绩创下历史峰值：营业收入24.45万亿韩元，同比增长39%，环比增长10%；营业利润11.38万亿韩元，同比增长62%，环比增长24%；净利润12.6万亿韩元，同比激增119%，净利率高达52%，营业利润率47%刷新纪录。

这一创纪录表现的关键在于两点：DRAM和NAND价格同步回升，以及AI服务器用高性能存储芯片的需求全面提升。

具体来看，SK海力士存储业务结构持续优化。DRAM作为核心收入来源，占比达78%，营收19.07万亿韩元，bit出货量环比增长7%-9%，平均销售单价（ASP）环比上升4%-6%；NAND业务营收4.89万亿韩元，占比20%，尽管bit出货量环比下降4%-6%，但受AI服务器端eSSD高附加值需求拉动，ASP大涨10%-15%。

另一方面，AI服务器与高端移动设备的需求推动高容量DDR5与LPDDR5出货量持续攀升，128GB以上DDR5内存出货量环比翻倍，12层HBM3E销量持续攀升，HBM业务在DRAM总销售额中占比高达40%。

更值得关注的是，SK海力士已与主要客户就明年的HBM供应达成协议。SK海力士表示，目前已完成2026年HBM供应谈判，HBM4于9月完成开发并启动量产，已为满足客户所有性能要求及实现业界最高速度做好准备，第四季度正式出货。

基于此，SK海力士在HBM领域的议价能力显著提升。据报道，SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供应完成价格和数量谈判，HBM4单价确认约为560美元，比目前供应的HBM3E价格高出50%以上。这一涨价幅度充分反映了HBM产品的稀缺性和SK海力士在技术上的领先地位。

据了解，SK海力士在全球HBM市场占据58%的份额，且已锁定2026年所有DRAM、NAND及HBM产能，部分客户甚至提前预购传统存储芯片，显示出极强的市场议价能力。

SK海力士：从存储供应商到“全栈AI存储创造者”

值得关注的是，SK海力士还提出了"全栈AI存储创造者"的愿景，计划通过AI-DRAM、AI-NAND和定制HBM重塑未来存储技术体系。目前，SK海力士公司正在从提供标准化存储器件向参与AI计算架构的协同设计转型，这种战略定位将进一步巩固其在AI存储市场的领导地位。