HBM4量产潮起：2026年存储巨头竞争白热化

2026年，存储巨头们正迎来另一个重要的里程碑，而这场跃迁的核心焦点无疑是HBM4。

SK海力士在2025年的财报会上宣布，其HBM4已于9月完成开发并启动量产，预计2026年将全面放量。三星在2026年的新年致辞中自豪地表示：“我们的HBM4展现了真正的差异化竞争力，甚至有客户感慨：Samsung is back（三星回来了）”。美光则在2025年9月的电话会议中确认，HBM4将于2026年第二季度正式量产出货，下半年将开始产能爬坡。

HBM4的量产冲刺，已在2026年初正式拉开序幕。

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HBM4，闪亮登场

截至目前，美光、三星和SK海力士均通过不同活动展示了各自的HBM4产品。

SK海力士：16层堆叠 + MR-MUF + 台积电逻辑芯片

SK海力士正式展示了其新一代HBM4高带宽内存，采用16层堆叠、容量达48GB。相比此前推出的12层36GB版本（曾以11.7Gbps的速率创下行业纪录），新器件在容量和带宽上均有显著提升，整体带宽突破2TB/s。

MR-MUF的优势

实现16层堆叠的同时，还要满足JEDEC对HBM封装总高度不超过775微米的要求，这对制造工艺提出了极高挑战。SK海力士的一大亮点是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术：通过将单颗DRAM晶圆减薄至仅30微米，并在一次回流焊过程中完成多层芯片的垂直互连，既提升了集成密度，也增强了结构稳定性。SK海力士16层HBM4器件的另一大亮点是，与台积电合作将12纳米逻辑芯片集成到HBM4芯片的基础芯片中，作为HBM4堆栈的控制逻辑或“大脑”。

三星：1c DRAM + 混合键合 + 全流程自研

与SK海力士和台积电合作生产HBM4逻辑芯片不同，三星是在自家4nm工艺上生产逻辑芯片，并且在同一厂区内完成3D封装。三星是目前唯一在自有晶圆厂完成DRAM、逻辑芯片制造及3D封装全链条的HBM4供应商。

封装技术上，三星未采用MR-MUF，而是加速推进混合键合技术；同时，三星在HBM4的另……