HBF技术引领NAND存储革新：AI需求驱动下的四大阵营竞逐

近期，全球存储市场正经历一场罕见的供需失衡态势。

伴随云计算巨头持续扩大资本开支，人工智能应用的需求进一步挤压供应端，导致内存短缺问题不断恶化。三星于10月率先暂停DDR5 DRAM的合约定价，最终引爆了内存价格的疯狂上涨。

更引人注目的是，NAND闪存在此轮涨价潮中发挥了关键作用。市场报告显示，自9月以来，512Gb TLC晶圆价格稳步攀升，10月下旬已触及5美元；1Tb TLC/QLC晶圆价格则进入6.5至7.2美元区间。传统上被视为低成本大容量存储的NAND，正迎来自己的高光时刻。

而NAND涨价的核心，除库存见底外，还指向一个新兴技术概念——高带宽闪存（HBF，High-Bandwidth Flash）。如果说HBM让DRAM从配角跃升为AI时代的核心资产，那么HBF可能正为NAND开启类似的“封神之路”。

HBF：从概念到产业共识

今年上半年，闪迪在投资者日上首次阐述了高带宽闪存概念，这是一种基于NAND的高带宽内存技术。通过将16层NAND堆栈与逻辑芯片键合，再经中介层以多通道高带宽方式连接至GPU或其他处理器，实现高效数据传输。

这一技术路线的兴起并非偶然。当前AI模型正向多模态、长上下文方向演进——如GPT-4V的视觉理解、Claude的100K token上下文处理、Gemini的多模态能力——这些应用需在内存中维护庞大的中间状态数据。传统DRAM速度快但容量扩展成本极高；NAND闪存容量大但访问速度较慢。HBF通过架构创新，在两者间寻求最优平衡。

具体实现上，HBF依托闪迪成熟的CBA（CMOS直接键合阵列）技术构建核心架构：将逻辑芯片与3D NAND堆叠层键合，逻辑芯片负责NAND与中介层的连接，3D NAND堆叠层则由16层核心芯片堆叠组成，并通过类似HBM的硅通孔（TSV）连接器实现层间互联。该设计使HBF在性能与成本间达成精妙平衡——据负责人伊尔克巴哈尔强调，HBF能“匹配HBM内存的带宽表现，同时在相近成本下提供8至16倍的存储容量”，这一优势使其在大模型存储场景中具备天然竞争力。

在闪迪发布HBF概念的2月，NAND市场尚处低迷，因而一经推出便吸引行业众多厂商关注，各家纷纷布局这一技术。

如今，HBF的生态系统已初具雏形。

群雄并起：四大阵营的技术路径

SK海力士：生态联盟的先行者

SK海力士在2025年OCP全球峰会上发布了包含HBF的AI产品战略，构建了“AIN Family”产品阵容。其中，AIN B正是采用HBF技术的产品，核心是将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合。

SK海力士表示：“随着AI推理市场迅速增长，能够快速、高效处理海量数据的NAND存储产品需求急剧扩大。我们构建‘AIN Family’产品阵容，旨在以面向AI时代的最优解决方案满足客户需求。”AIN系列从性能、带宽、容量三个维度优化，旨在同时提升数据处理速度和存储容量。

为推动AIN B生态系统发展，SK海力士举办了“HBF之夜”活动，邀请全球科技公司代表及专家参与圆桌讨论，提议业界携手加速NAND存储产品创新。

SK海力士已向清州M15X工厂运入首批设备，重点量产下一代HBM产品，为HBF的未来部署奠定基础。作为HBM巨头，SK海力士凭借生态伙伴积累，有望率先量产HBF。

闪迪：技术激进派的豪赌

今年8月，闪迪宣布了HBF的推进计划，将于2026年下半年提供样品，2027年初为推理AI提供正式产品，这一激进时间表显示其技术信心。

最初，闪迪工程师设想在HBF封装中融合NAND与DRAM，但DeepSeek AI研究的“多头潜在注意力”技术可将KV缓存压缩93%，使HBF无需DRAM即可承载超大模型。单块GPU搭载的HBF内存可达4TB容量，足以容纳16位权重的GPT-4模型，彻底告别传统“模型数据跨设备调度”的效率损耗。

HBF还为混合专家模型（MOE）及多模态大模型的端侧部署提供可能。例如在智能手机场景，一颗512GB HBF芯片可承载640亿参数的MOE模型，并将芯片拆分为8个64GB迷你阵列，为MOE的8个专家子模型提供专属存储与数据通道，实现“精准激活、高效响应”的端侧AI体验。

闪迪HBF负责人Ilkbahar曾任职英特尔Optane部门，吸取专有化策略教训，此次与SK海力士合作推动标准化，平衡技术激进与生态开放。

铠侠：多路径探索的务实派

铠侠在HBF赛道上展现务实多元的技术探索。作为闪迪的合资伙伴，铠侠既独立开发差异化方案，又共享技术积累。

2025年8月，铠侠发布了面向边缘服务器的高速闪存驱动器原型，采用串联连接的闪存“珠子”，使用PCIe 6总线，实现5TB容量和64 GBps数据速率。其菊花链连接方式避免了传统总线带宽瓶颈，即使增加存储单元，带宽也不会下降。

此外，铠侠正应英伟达要求开发1亿IOPS的SSD，预计2027年推出，支持PCIe 7.0，两个SSD直接连接GPU可提供2亿IOPS，部分替代HBM用于生成式AI工作负载。

铠侠的多路径策略包括CXL连接的XL-Flash驱动器、菊花链连接的XL-Flash珠子及XL-Flash HBF实现方案，这种全方位布局降低单一技术失败风险，但可能分散资源。

三星：沉默巨头的后发策略

三星在HBF上表现谨慎，已启动自有HBF产品的早期概念设计，但产品规格和量产时间表仍未确定。

作为NAND和DRAM双料冠军，三星在3D NAND堆叠、TSV工艺、先进封装等领域积累深厚，具备天然协同优势。但此前在HBM市场被SK海力士反超，教训可能影响其HBF策略——TSV使用过于节省可能导致稳定性和性能问题。

三星采取“后发制人”策略，先观察竞争对手技术路线和客户反馈，再以成熟方案进入市场，避免重蹈生态位把控失当的覆辙。

NAND的“第二春”

从廉价存储到高价值核心组件，NAND正经历深刻转型。这场转型与HBM崛起惊人相似：都源于AI需求爆发，都需突破传统架构限制，都依赖生态协同演进。

不同的是，HBM故事已写就，而HBF故事刚开启。SK海力士的生态联盟、闪迪的技术激进、铠侠的多元探索、三星的后发准备，四大阵营博弈将决定新兴市场格局。

HBM用五年时间从配角成为主角，NAND能否在HBF加持下复制这条“封神之路”？答案或在2026-2027关键窗口期。对内存厂商而言，这不仅是技术竞赛，更是未来AI基础设施话语权的争夺战。