澜起科技：内存接口芯片领军者，迎接AI时代新机遇

近期，澜起科技股份有限公司（以下简称澜起科技）向港交所主板提交了更新后的招股书。成功上市之后，澜起科技将成为又一家采用“A+H”布局的企业。截至发稿时，澜起科技在A股市值已达到984亿元。

澜起科技的核心产品是内存接口芯片。在一台服务器中，CPU想要读取内存数据，必须通过内存接口芯片。它扮演着提升内存数据访问速度及稳定性的关键角色。

在内存接口芯片领域，澜起科技处于全球领先地位。2024年按收入计算，澜起科技是全球最大的内存互连芯片供货商，占据36.8%的市场份额。

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澜起科技成立于2004年，由时年57岁的半导体专家杨崇和创立。杨崇和于1981年赴美国留学，在俄勒冈州立大学获得电子与计算机工程硕士及博士学位。他的职业生涯始于1990年，在美国国家半导体公司从事芯片设计研发工作。1994年，他回到上海，加入“国内集成电路行业的首家中外合资企业”上海贝岭。随后，他于1997年参与创办“中国第一家硅谷式（风投加创业团队）的IC 设计公司”新涛公司，担任总经理，负责研发工作。2001年，新涛科技被IDT公司以8500万美元收购，为投资人带来了近10倍的回报。杨崇和继续留在IDT公司，担任副总裁兼中国区总经理，积累了丰富的管理经验。2004年，他创立了澜起科技，专注于内存接口芯片的研发。

当时，云计算概念刚刚兴起，谷歌开始布局数据中心业务。杨崇和预见到数据将越来越重要，连接数据的工具也将越来越关键。“做内存接口芯片相当于在储存数据的内存和CPU之间建立了高速连接，可以想象成数据在高速公路上传输。”

然而，内存接口芯片的研发不仅需要在技术上“攻坚”，在商业上也面临巨大挑战：你的产品需要获得CPU、存储、服务器三方厂商的认证才能被市场接受。

2006年，杨崇和带着刚开发出的芯片去美国拜访英特尔，实测数据令对方惊讶：在不牺牲其他指标的前提下，澜起芯片的功耗比业界顶尖水平低了四成。几天后，英特尔派人到上海考察，决定投资1000万美元技术资金，并停止研发自己的内存接口芯片。

由于芯片研发需要大量资金投入，澜起科技同时研发电视机顶盒芯片以支撑业务发展。2012年，机顶盒芯片业务贡献了澜起科技90%的营收。然而，随着国家更改通讯技术标准，澜起科技未能获得新标准下的生产许可，这块业务不得不停止。此时，必须有新的资金来源。

2013年，澜起科技在纳斯达克上市。2014年遭遇业绩造假指控和集体诉讼。同年，由国资背景的浦东科投和中国电子投资控股有限公司共同成立的合资公司以6.93亿美元完成了对澜起科技的私有化收购。此后，澜起科技加大了对内存接口芯片的研发，该业务营收占比达到总营收的50%。

澜起科技的发展进入快车道。2016年至2018年，公司分别实现营业收入8.45亿元、12.28亿元和17.58亿元，净利润分别为9280.43万元、3.47亿元和7.37亿元。

2019年7月22日，澜起科技成为首批在科创板上市的企业之一。上市当天市值暴涨272.83%，总市值一度超过千亿。

澜起科技进入内存接口芯片赛道时，行业里有近20家公司。如今行业只剩3家公司。澜起科技也在转型为平台型芯片设计公司。

随着生成式AI在全球的火爆发展，AI应用带动了内存和带宽需求，进而推动了服务器内存接口及配套芯片需求的持续增长。2024年，澜起科技营业收入达到36.39亿元，同比增长59.2%；净利润为14.12亿元，同比增长213.1%。今年第一季度，增长势头持续：营业收入为12.22亿元，同比增长65.78%；净利润为5.25亿元，同比增长135.14%。

澜起科技的前三大客户分别是三星电子、SK海力士和美光科技。这三家公司都是全球主要的DRAM供应商，其中两家还直接供应产品给英伟达。

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预计至2025年，中国内存接口芯片市场规模将接近150亿元。

这一增长主要得益于服务器和数据中心需求的上升以及DDR5等新一代内存技术的商用。中国市场在全球内存接口芯片版图中的占比不断提升。根据报告数据，2024年中国DDR5内存接口芯片市场规模约为14.27亿元；而全球DDR5内存接口芯片市场规模约为89.18亿元。

全球内存接口芯片市场呈现高度垄断格局：目前真正具备量产DDR4/DDR5内存接口芯片能力的仅有三家公司——中国的澜起科技、日本的瑞萨电子和美国的Rambus。这三大厂商合计市占率超过93%，行业CR3高达93.4%。

这主要是由于内存接口芯片的技术门槛极高：产品需通过CPU厂商、DRAM厂商和OEM厂商的多重认证；需兼容复杂生态并保证高速信号的稳定可靠。历史上曾有德州仪器（TI）、英特尔(IDT部门)等参与该领域；但由于壁垒不断提高；这些厂商相继退出；只剩下上述三强存续。

随着主流服务器CPU全面支持DDR5内存；DDR5正快速替代DDR4。全球主要DRAM厂商在2025年将大幅缩减DDR4产能；以满足服务器对高速内存的需求；迫使DDR5在短期内迅速接替。DDR5内存接口芯片的迭代速度也明显加快。

澜起科技已在业内率先推出支持7200MT/s的DDR5第四代RCD芯片；仅两年内完成从第一代到第四代的升级。技术演进的主旋律是更高的数据速率和更强的信号处理；例如Rambus发布的第四代DDR5 RCD将速率提升50%至7200MT/s；满足新一代服务器内存带宽需求。

展望未来；DDR5内存模块的新形态MRDIMM（Multiplexer Rank DIMM）已经出现。瑞萨电子率先推出面向第二代DDR5 MRDIMM的完整接口芯片组；包含新型多路RCD（MRCD）和多路数据缓冲器（MDB）；将内存模块速度提升至12800 MT/s；带宽相比第一代显著提升。这预示着DDR5及其衍生技术仍有巨大提升空间。

在AI训练和高性能计算领域；HBM（高带宽内存）因其超高带宽成为焦点。

市场预测显示到2025年全球HBM存储器市场规模将达到约150亿美元；增速超过50%。HBM的技术门槛极高；目前主要由韩、美大型存储厂商主导；但也带动了接口技术的新突破。例如Rambus正与三星合作开发HBM4；目标提供每秒数TB带宽；性能超越HBM3。HBM内存接口以硅中介层和垂直堆叠实现；与传统DIMM不同；这为内存接口芯片提出了片上集成的新要求。

本文内容仅供参考；不构成任何投资建议。