SK海力士AI战略：定制化HBM、AI DRAM与AI NAND引领存储未来

当前，NAND闪存晶圆供应进一步收紧，部分产品11月份合同价格涨幅超过60%。

内存价格上涨显著推高了消费电子产品的物料清单成本，导致智能手机、笔记本电脑、游戏机等设备出货量减少。

人工智能基础设施持续推动NAND闪存需求增长，全球排名前五的NAND 闪存供应商的总营收环比增长 16.5%，接近 171 亿美元。

今年下半年以来，存储涨价已成为热议话题。未来，存储将如何发展？

01 SK 海力士的野心：AI

在最近举行的SKAI Summit 2025峰会上，SK海力士CEO郭鲁正宣布了新的战略愿景：“全线AI存储创造者”。并给出了非常详细的产品路线图，涵盖了从2026年至2031年的时间跨度。

具体来看，SK 海力士有三个布局：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。

在HBM方面，SK海力士将推出HBM4 16层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化HBM解决方案。定制化HBM通过将协议和控制器从XPU芯片移至HBM基础裸片，为计算单元释放更多空间，显著降低接口能耗。

在DRAM领域，公司将推出LPDDR5R和LPDDR6等标准解决方案，同时引入全新的AI DRAM产品线。

NAND方面，将推出PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘，以及UFS 5.0等标准解决方案。

02 第一步，定制化HBM

谷歌第七代TPU即将量产。它的HBM由两家公司供应：SK海力士和三星电子。

SK海力士提供两种HBM3E芯片：8层版本用于TPU 7，12层版本用于TPU 7e。TPU 7e是TPU 7的改进型，目标是提升能效。韩国投资证券预测，2025年SK海力士在谷歌TPU HBM供应中占56.6%，三星电子占43.4%。Meritz Securities预测SK海力士占比为60%。

对于HBM，SK 海力士有自己的见解。

SK 海力士认为，随着AI市场从商品化拓展到推论效率和优化，未来HBM也将从传统的产品演变为定制化的产品。定制化HBM（Custom HBM）是把GPU和ASIC的特定功能整合到HBM基座上的产品。这样做有两个结果：一是让GPU或ASIC的性能发挥得更充分；二是减少HBM和处理器之间的数据传输功耗。

03 第二步，AI DRAM

根据TrendForce的数据，2025年DRAM的资本支出预计为537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，同比增长约14%。

在AI DRAM细分场景中，SK 海力士进一步细化了三大方向。

结语

当前，存储市场再次进入上升周期。

近期新机普遍涨价100-300元，这只是开始。闪迪在3月、9月两轮涨价后，11月直接提价50%，三星跟进部分产品涨幅超60%，市场节奏彻底被带偏。

这次由AI规模化应用导致的结构性、长周期缺货，完全超出所有人预期。AI的影响下，“存力升级”须紧随“算力升级”步伐。从场景来看，训练侧容量带宽需求全面提升，推理侧带宽需求突出。

未来，存储和AI的绑定只会越来越深。