英特尔重返DRAM赛道：技术革新与市场博弈

近期，研究机构桑迪亚国家实验室与英特尔的合作引发了行业广泛关注。

据报，双方携手在内存技术领域取得突破性进展，通过“先进内存技术”（AMT）项目，成功将DRAM研发成果转化为新型技术，旨在解决美国国家核安全管理局的内存带宽与延迟问题。

这一动态让“英特尔是否将重返DRAM市场”的猜测浮出水面。

尽管报道未明确宣布英特尔将大规模回归独立DRAM制造，但释放的信号值得深思。结合英特尔的历史积淀及当前DRAM行业的AI超级周期，其动向显得微妙。

存储巨头的历程

英特尔与DRAM的渊源可追溯至行业初期。

1970年，英特尔推出全球首款商业成功的DRAM产品1103芯片，凭借价格、密度和逻辑兼容性上的优势，迅速重塑了存储行业的格局。

英特尔在上世纪70年代一度占据全球DRAM市场90%的份额，成为行业龙头。

然而，随着日本厂商的崛起和市场竞争的加剧，英特尔逐渐失去领先地位，最终在1985年退出DRAM业务，转向CPU领域。

此后数十年，全球DRAM市场经历了韩国厂商的崛起和行业整合，形成了三星、SK海力士、美光三大巨头垄断的格局。

存储行业具有强周期性特征，每4-5年经历一轮供需波动。经历2021年末至2023年的超级周期性低迷后，生成式AI的爆发改变了需求格局。

如今，DRAM行业迎来新一轮机遇。AI工作负载对内存带宽和容量的高需求推动了数据中心HBM和DRAM需求的激增，存储行业进入超级周期。

AMT项目：揭开重返DRAM的面纱

桑迪亚国家实验室与英特尔的合作，为这一猜测提供了技术证据。

作为后百亿亿次级计算计划的一部分，AMT项目由桑迪亚国家实验室牵头，联合劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、洛斯阿拉莫斯国家实验室与英特尔共同推进。前两轮合作聚焦研发，第三轮已进入产品化阶段。

英特尔在该项目中推出的下一代DRAM键合（NGDB）计划展现了颠覆性的技术思路。不同于传统内存架构，NGDB采用全新的内存组织方式与堆叠组装方法，显著提升DRAM性能的同时降低功耗与成本。

Saimemory：低功耗革命

重返存储赛道

与软银集团的合作是英特尔在DRAM领域实质性推进的重要一步。

2024年末，英特尔与日本软银宣布成立合资公司Saimemory，旨在开发替代HBM的堆叠式DRAM解决方案。

Saimemory的核心使命是打破HBM市场的垄断格局，通过垂直堆叠多颗DRAM芯片并结合EMIB桥接技术优化互连方式，实现存储容量翻倍且功耗降低40%-50%。

保留eDRAM的技术火种

除了主线的DRAM布局外，英特尔在eDRAM领域的技术积累为重返存储赛道提供了另一重支撑。

eDRAM作为将DRAM单元直接集成在处理器芯片上的存储技术，正重新成为行业焦点。

写在最后

回望历史，英特尔在NAND闪存领域也有过长期探索。其在存储架构、芯片堆叠、先进封装、存储专利等方面的积累深厚。

在AI时代，内存不仅是容量与成本的比拼，更是性能、功耗与架构的综合竞争。当前，AI驱动的存储产业变革正在重塑行业格局。

未来数年，无论英特尔是否以传统形式重返DRAM市场，其在存储领域的频繁布局已是不争的事实。这位曾经的存储王者或许不会直接与巨头正面对抗，但在异构计算时代，它完全可能凭借架构创新与系统整合能力重新定义自己的角色。